Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска однокристальных систем по 10-нанометровой технологии FinFET второго поколения. Этот техпроцесс называется 10LPP (Low Power Plus).
Такая продукция превосходит чипы, изготовленные с использованием 10-нанометрового техпроцесса первого поколения 10LPE (Low Power Early), по производительности или энергопотреблению. Чипы будут мощнее на 10%, а снижение энергопотребления при сохранении производительности может достигать 15%.
Поскольку 10LPP является развитием уже обкатанного техпроцесса, производителю удалось существенно сократить цикл освоения новых изделий с получением высокого процента выхода годной продукции в первых же партиях.
Первые однокристальные системы, изготовленные по техпроцессу 10LPP, появятся в электронных устройствах в начале 2018 года. Новейшая линия S3 готова наращивать выпуск 10-нанометровой продукции в соответствии с потребностями рынка. Кстати, это предприятие выбрано и для освоения в серийном производстве 7-нанометровой технологии FinFET с использованием EUV.
