Команде ученых из Техасского университета удалось создать высокопроизводительные двумерные транзисторы на бумажной основе. По словам исследователей, их транзисторы могут быть использованы в сфере IoT, а также для создания совершенно новых устройств, пишет Phys.org.
Санджен Парк и Дежи Акиванд, ученые из Техасского университета, представили свое открытие на Международной конференции по электронике, состоявшейся в начале декабря недалеко от Вашингтона. Им удалось создать дисульфидные транзисторы из графена и молибдена на основе из обычной бумаги. Электроника на бумажных носителях сегодня используется довольно редко: в основном в игрушках и упаковочных бирках. По мнению ученых, это может скоро измениться, поскольку их открытие позволит создавать совершенно новые устройства с большим количеством возможностей.
Пластик и полупроводники, традиционно используемые для изготовления транзисторов, могут без проблем выдерживать производственный процесс и стабильно работать. Но эти материалы стоят значительно дороже бумаги. Бумага же не используется в качестве основы для транзисторов по очевидным причинам: она не проводит ток, промокает и горит при производственных температурах. Но исследователям удалось найти покрытие, которое смогло обойти эти проблемы.
После долгих поисков и испытаний ученые решили использовать полиимид — полимер, который сегодня применяется в качестве основы для некоторых печатных электронных устройств. Он дает бумаге гладкую поверхность и делает ее водонепроницаемой. Кроме того, новый материал защищает бумагу от воспламенения, позволяя выдерживать температуру до 230 °C.
